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SIA433EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA433EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA433EDJ-GE3
Price: 0.87 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SIA433EDJ-GE3

Fabricante N.º:

SIA433EDJ-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

SIA433EDJ-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.871	$0.87
	$0.793	$7.93
	$0.533	$53.30
	$0.447	$223.50
	$0.384	$384.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.346	$1,038.00
	$0.317	$1,902.00
	$0.293	$2,637.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-70-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	75 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	19 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.5 us
Transconductancia hacia delante - Mín.:	35 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	0.6 us
Serie:	SIA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 us
Tiempo típico de demora de encendido:	0.3 us
Alias de las piezas n.º:	SIA433EDJ-GE3
Peso de la unidad:	41 mg

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REACH Certificate (PDF)

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
ECCN:: EAR99

SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET offers low on-resistance and operates in a -55°C to +150°C temperature range. This power MOSFET is available in a single-configuration PowerPAK® SC-70 package size. The device provides an on-resistance rating that accommodates a wide range of applications. Other features include built-in ESD protection with a Zener diode. Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET is ideal for applications that include portable devices, load switches, battery switches, and charger switches.

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.