MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor RDS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

Resultados: 109
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
8,120En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
2,636En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-5-5 N-Channel 1 Channel 40 V 490 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 130 nC - 55 C + 175 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
7,415En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 55 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
106En existencias
15,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 600 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
34En existencias
10,000Se espera el 06/05/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
110En existencias
10,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 179 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 55 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
7En existencias
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 194 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
123En existencias
20,000Se espera el 01/07/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
330En existencias
40,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
52En existencias
20,000Se espera el 18/03/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
19En existencias
20,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT sTOLL-6 N-Channel 1 Channel 40 V 475 A 600 uOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 14 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
39,990En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
168,217En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Hoja de datos
1,970En existencias
6,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
9,600Se espera el 13/05/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 637 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 62 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Hoja de datos
5,000Se espera el 22/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
93,376En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 230 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 73 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
19,900En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 192 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
9,880Se espera el 31/12/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 40 V 299 A 880 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
100,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
23,236En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
6,000Se espera el 22/03/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 40 V 390 A 750 uOhms 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
2,660Se espera el 04/02/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 40 V 656 A 360 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel