Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUA250N04S6N007AUMA1
Infineon Technologies
1:
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NRND
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726-IAUA250N04S6N007
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
1,370 En existencias
1
$5.86
10
$3.91
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$3.02
500
$2.68
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$2.20
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$2.60
4,000
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Si
SMD/SMT
HSOF-5
N-Channel
1 Channel
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250 A
700 uOhms
- 20 V, 20 V
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127 nC
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250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
IPB068N20NM6ATMA1
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726-IPB068N20NM6ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
37 En existencias
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52 Semanas
1
$10.43
10
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1,000
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3
N-Channel
1 Channel
200 V
134 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
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300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IQD005N04NM6CGATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
83 En existencias
5,000 Se espera el 19/02/2026
1
$4.89
10
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100
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1,000
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$2.12
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Si
SMD/SMT
TTFN-9
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1 Channel
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610 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC010N04LS6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
4,114 En existencias
1
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Presupuesto
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC022N04LS6ATMA1
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726-BSC022N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
21,228 En existencias
15,000 Se espera el 05/03/2026
1
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Presupuesto
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LS6ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
26,601 En existencias
20,000 Se espera el 10/12/2026
1
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1,000
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Detalles
Si
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TDSON-FL-8
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Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6L005ATMA1
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N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L005
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
1,477 En existencias
1
$3.43
10
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100
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1,000
Ver
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Si
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TDSON-8
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1 Channel
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120 A
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187 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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10,000 En pedido
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726-ISC060N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
2,513 En existencias
10,000 En pedido
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5,000 Se espera el 02/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$3.45
10
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$1.40
1,000
Ver
5,000
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1,000
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$1.30
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$1.14
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Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
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97 A
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Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
+1 imagen
ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
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7,986 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
7,986 En existencias
1
$2.80
10
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500
$1.00
5,000
$0.966
10,000
Ver
1,000
$0.966
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$0.848
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
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75 A
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100 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
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9,913 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
9,913 En existencias
1
$2.18
10
$1.39
100
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Ver
1,000
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
31 A
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3.3 V
7.4 nC
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+ 175 C
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Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
ISC007N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
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2,988 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-SC007N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
2,988 En existencias
1
$4.30
10
$2.81
100
$1.95
500
$1.68
1,000
Ver
5,000
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1,000
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
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381 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
ISC010N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
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6,975 En existencias
5,000 Se espera el 13/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-SC010N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
6,975 En existencias
5,000 Se espera el 13/08/2026
1
$3.28
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
285 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
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- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IST006N04NM6AUMA1
Infineon Technologies
1:
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4,071 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IST006N04NM6AUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
4,071 En existencias
1
$3.63
10
$3.29
100
$2.31
500
$2.11
2,000
$1.74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
En transición
Si
SMD/SMT
sTOLL-6
N-Channel
1 Channel
40 V
475 A
600 uOhms
- 10 V, 10 V
2.1 V
127 nC
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250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ024N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.44
257 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ024N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
257 En existencias
10,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
257 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 17/09/2026
5,000 Se espera el 01/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$1.44
10
$1.17
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$1.02
500
$0.941
1,000
Ver
5,000
$0.692
1,000
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2,500
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5,000
$0.692
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
25 nC
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+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC60N04S6N050HATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.79
1,582 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N050H
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
1,582 En existencias
1
$1.79
10
$1.16
100
$0.979
500
$0.857
1,000
Ver
5,000
$0.662
1,000
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$0.662
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
74 A
5 mOhms
- 16 V, 16 V
3 V
13 nC
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+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$9.66
1 En existencias
2,000 Se espera el 01/02/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
1 En existencias
2,000 Se espera el 01/02/2027
1
$9.66
10
$6.47
100
$4.86
500
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$4.07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
200 V
87 A
12.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
37 nC
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234 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$5.89
80 En existencias
20,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
80 En existencias
20,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
80 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 28/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$5.89
10
$3.90
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$2.51
5,000
$2.04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
192 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
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58 nC
- 55 C
+ 175 C
217 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.00
200 En existencias
15,000 Se espera el 13/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
200 En existencias
15,000 Se espera el 13/08/2026
1
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Ver
5,000
$0.866
1,000
$1.05
2,500
$1.00
5,000
$0.866
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
75 A
8.05 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.03
2,140 En existencias
5,000 Se espera el 12/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
2,140 En existencias
5,000 Se espera el 12/03/2026
1
$2.03
10
$1.28
100
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$0.702
1,000
Ver
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$0.497
1,000
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2,500
$0.566
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$0.497
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
31 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
7.4 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISZ330N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.17
5 En existencias
5,000 Se espera el 01/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ330N12LM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
5 En existencias
5,000 Se espera el 01/10/2026
1
$2.17
10
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$0.909
500
$0.716
1,000
$0.653
5,000
$0.554
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
120 V
24 A
33 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
3.6 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC60N04S6N031HATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.99
1,800 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N031H
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
1,800 En existencias
1
$1.99
10
$1.46
100
$1.24
500
$1.09
1,000
Ver
5,000
$0.87
1,000
$1.05
2,500
$1.04
5,000
$0.87
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
113 A
3.1 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IQDH45N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.10
13,200 Se espera el 01/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IQDH45N04LM6CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
13,200 Se espera el 01/10/2026
1
$4.10
10
$2.82
100
$2.41
500
$2.33
1,000
Ver
5,000
$2.13
1,000
$2.25
2,500
$2.20
5,000
$2.13
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
637 A
450 uOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
62 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.10
26,269 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
26,269 En pedido
Ver fechas
En pedido:
7,369 Se espera el 23/04/2026
8,900 Se espera el 30/04/2026
10,000 Se espera el 27/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$4.10
10
$3.19
100
$2.87
5,000
$2.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
230 A
2.24 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
254 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
ISC151N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$7.03
9,995 Se espera el 15/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-ISC151N20NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
9,995 Se espera el 15/10/2026
1
$7.03
10
$4.97
100
$3.58
500
$3.48
5,000
$2.85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
200 V
74 A
15.1 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
ISG0613N04NM6HSCATMA1
Infineon Technologies
1:
$6.14
8,985 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISG0613N04NM6HSC
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
8,985 En pedido
Ver fechas
En pedido:
5,985 Se espera el 11/06/2026
3,000 Se espera el 02/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
$6.14
10
$4.07
100
$3.06
500
$2.77
1,000
$2.69
3,000
$2.28
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TFN-10
N-Channel
2 Channel
40 V
299 A
880 uOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
Reel, Cut Tape