RV7x N-Ch Middle Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RV7x N-Ch Middle Power MOSFETs provide low on-resistance and excellent thermal conduction. The RV7x is available in a leadless ultra-small and exposed drain pad SMD plastic package (1.2mm x 1.2mm x 0.5mm). The ROHM RV7x MOSFETs are ideal for switching and load switch applications with an operating temperature range of -55°C to +150°C.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 2A Middle Power MOSFET 2,630En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 157 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 4A Middle Power MOSFET
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-1212-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 4 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel