62mm C Series TRENCHSTOP IGBT7 Modules

Infineon Technologies 62mm C Series TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules offer high power density and a positive temperature coefficient. The TRENCHSTOP IGBT7 technology and standard housing make the modules ideal for servo drives, UPS systems, and commercial agriculture vehicles. The Infineon 62mm C Series TRENCHSTOP IGBT7 Modules are qualified for industrial applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Hoja de datos
29En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
24En existencias
8Se espera el 26/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Hoja de datos
28En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Hoja de datos
32Se espera el 26/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
32Se espera el 26/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray