MOSFETs de SiC – Mouser México

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
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IMBG120R045M1HXTMA1

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726-IMBG120R045M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

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227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
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726-IMBG120R060M1HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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$8.53

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Envase tipo carrete

$6.46

MouseReel Disponible

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TO-263-7

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Enhancement

CoolSiC

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IMZ120R350M1HXKSA1
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

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$4.88

$4.02

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TO-247-4

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Enhancement

CoolSiC

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IMZA65R107M1HXKSA1
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TO-247-4

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Enhancement

CoolSiC

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IMW65R072M1HXKSA1
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TO-247-3

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96 W

Enhancement

CoolSiC

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IMBF170R450M1XTMA1
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IMBF170R450M1XTMA1

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726-IMBF170R450M1XTM

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TO-263-7

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CoolSiC

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IMBF170R650M1XTMA1
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CoolSiC

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IMBG120R030M1HXTMA1
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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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TO-263-7

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1.2 kV

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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$3.55

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$3.02

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

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1.2 kV

4.7 A

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65 W

Enhancement

CoolSiC

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IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
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720Se espera el 24/08/2026

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720Se espera el 24/08/2026

$22.01

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TO-247-4

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1.2 kV

56 A

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5.7 V

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227 W

Enhancement

CoolSiC

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IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
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IMZ120R140M1HXKSA1

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$11.74

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$6.58

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TO-247-4

N-Channel

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19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

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- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

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IMW65R027M1HXKSA1
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TO-247-3

N-Channel

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650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

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Enhancement

CoolSiC

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IMW65R048M1HXKSA1
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1: $12.81
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IMW65R048M1HXKSA1

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726-IMW65R048M1HXKSA

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$12.81

$9.04

$7.53

$6.71

$6.27

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

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+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
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1: $21.72
480Se espera el 11/06/2026

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IMW120R030M1HXKSA1

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726-IMW120R030M1HXKS

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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480Se espera el 11/06/2026

$21.72

$13.69

$12.58

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.89
388En existencias

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IMW120R140M1HXKSA1

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726-IMW120R140M1HXKS

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388En existencias

$9.89

$6.07

$5.10

$4.72

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
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417En existencias
480Se espera el 25/06/2026

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IMW120R350M1HXKSA1

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726-IMW120R350M1HXKS

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$8.27

$4.69

$3.91

$3.45

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
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IMZ120R060M1HXKSA1

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726-IMZ120R060M1HXKS

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$8.07

$7.33

$7.32

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

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150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $12.86
199En existencias

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IMZ120R090M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R090M1HXKS

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$12.86

$8.22

$6.72

$6.03

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

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+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
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48En existencias
1,920En pedido

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IMZ120R220M1HXKSA1

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726-IMZ120R220M1HXKS

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$6.42

$5.27

$4.60

$4.42

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
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IMW65R107M1HXKSA1

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726-IMW65R107M1HXKSA

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342En existencias

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$5.28

$4.42

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

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CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
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726-IMZA65R027M1HXKS

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$15.07

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$11.18

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

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189 W

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CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $13.33
29En existencias
240Se espera el 29/04/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

29En existencias

240Se espera el 29/04/2027

$13.33

$8.66

$6.93

$6.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: $6.94
11,000Se espera el 02/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R1K0M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

11,000Se espera el 02/07/2026

Cinta cortada

$6.94

$4.62

$3.74

$3.13

Envase tipo carrete

$2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms