40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.

Resultados: 59
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 40 V 174 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,597En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 68 A 8.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,415En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 12.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,818En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 41 A 15.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,882En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 19.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,774En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 40 V 43 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1,277En existencias
3,000Se espera el 03/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 40 V 61 A 11.3 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 11,926En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 2.2 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1,125En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 56En existencias
5,000Se espera el 02/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 40 V 55 A 11.6 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 18En existencias
3,000Se espera el 02/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 41 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 10En existencias
6,000Se espera el 16/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3.1 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
18,000Se espera el 20/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
2,998Se espera el 19/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 20 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 128 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
: 12,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 16 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 16 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 21 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 21 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 Reel