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IGOT65R055D2AUMA1

Name: Infineon IGOT65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGOT65R055D2AUMA
Price: 8.97 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IGOT65R055D2AUMA

Fabricante N.º:

IGOT65R055D2AUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

IGOT65R055D2AUMA1 Hoja de datos (PDF)

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	$8.97	$8.97
	$6.57	$65.70
	$5.30	$530.00
	$4.72	$2,360.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$4.04	$3,232.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	HEMT
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	66 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	6.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	GaN Power Transistor

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MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CoolGan™ 600V e-Mode Power Transistors

Infineon Technologies CoolGan™ 600V Enhancement Mode (e-Mode) Power Transistors enable simpler half-bridge topologies with fast turn-on and turn-off speeds. The rugged and reliable transistors are available in high-performing SMD packages to fully exploit the benefits of GaN. The transistors feature high efficiency, high power density, higher operating frequency capability, and reduced EMI. Applications include telecom / datacom / server SMPS, wireless charging, chargers, and adapters.

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.