Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low RDS(on) and low capacitance. The low RDS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Resultados: 38
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL 118En existencias
1,500Se espera el 07/04/2026
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 337 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40V, 237A, 1.2mohm 475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI 848En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 398.2 A 810 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 165 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 2,915En existencias
1,500Se espera el 23/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMFS0D5N03CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL 843En existencias
1,500Se espera el 05/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 464 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm 914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 64MOHM MOSFET
6,000Se espera el 16/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 260 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
3,000Se espera el 13/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 258 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 13,500Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 362 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 149 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, 60 V, 1.1 mohm, 342 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.0 m?, 363 A, Single N-Channel, D2PAK7 Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 342 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 139 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, Power, 30V N-Channel, SO8-FL Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 1.74 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 48 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 820 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 66 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel