Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

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Resultados: 18

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
onsemi
1: $2.29
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NTMFS2D3N04XMT1G

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863-NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Cinta cortada

$2.29

$1.46

$0.967

$0.762

$0.702

Envase tipo carrete

$0.702

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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: $4.99
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16,500Se espera el 05/01/2028

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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113En existencias

16,500Se espera el 05/01/2028

Cinta cortada

$4.99

$2.91

$2.28

$1.87

$1.65

Envase tipo carrete

$1.65

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: $4.52
125En existencias
4,500Se espera el 09/04/2027

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NTMFS0D6N04XMT1G

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863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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125En existencias

4,500Se espera el 09/04/2027

Cinta cortada

$4.52

$2.95

$2.07

$1.68

$1.51

Envase tipo carrete

$1.51

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

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380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

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150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XMT1G
onsemi
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824En existencias
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NTMFS0D7N04XMT1G

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863-NTMFS0D7N04XMT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Cinta cortada

$3.64

$2.34

$1.63

$1.33

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Envase tipo carrete

$1.11

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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

323 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

72.1 nC

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134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: $4.62
436En existencias
39,000En pedido

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NTMFS2D1N08XT1G

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863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

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436En existencias

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Cinta cortada

$4.62

$3.00

$2.11

$1.77

$1.55

Envase tipo carrete

$1.55

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

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+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

NTMFS3D2N10MDT1G
onsemi
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1,080En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D2N10MDT1G

onsemi

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Cinta cortada

$6.29

$4.16

$2.95

$2.55

$2.41

Envase tipo carrete

$2.41

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

142 A

3.5 mOhms

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155 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

NTTFS012N10MDTAG
onsemi
1: $3.20
9,293En existencias

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NTTFS012N10MDTAG

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863-NTTFS012N10MDTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

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9,293En existencias

Cinta cortada

$3.20

$2.05

$1.40

$1.12

$0.959

Envase tipo carrete

$0.959

Min.: 1
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WDFN-8

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
onsemi
1: $3.30
17En existencias
3,000Se espera el 06/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D1N04XMT1G

onsemi

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3,000Se espera el 06/10/2026

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$3.30

$2.12

$1.44

$1.19

$0.975

Envase tipo carrete

$0.975

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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
1: $2.98
123En existencias
6,000Se espera el 23/10/2026

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NTMFS1D3N04XMT1G

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863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

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6,000Se espera el 23/10/2026

Cinta cortada

$2.98

$1.90

$1.27

$1.03

$0.924

Envase tipo carrete

$0.924

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

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38.5 nC

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+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: $4.17
3En existencias
16,500En pedido

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NTMFS2D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D5N08XT1G

onsemi

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3En existencias

16,500En pedido

Cinta cortada

$4.17

$2.67

$1.85

$1.53

Envase tipo carrete

$1.53

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D0N08XT1G
onsemi
1: $3.86
39En existencias
31,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

39En existencias

31,500En pedido

Cinta cortada

$3.86

$2.48

$1.72

$1.39

$1.29

Envase tipo carrete

$1.24

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,690

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: $2.47
26En existencias
1,500Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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26En existencias

1,500Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

$2.47

$1.55

$0.881

$0.719

$0.547

Envase tipo carrete

$0.547

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

NTBLS0D8N08XTXG
onsemi
1: $10.75
28,583En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS0D8N08XTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS0D8N08XTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

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28,583En pedido

Cinta cortada

$10.75

$7.31

$5.40

$5.23

Envase tipo carrete

$4.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

457 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
1: $2.82
23,984En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

23,984En pedido

Cinta cortada

$2.82

$1.79

$1.21

$0.969

$0.78

Envase tipo carrete

$0.78

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NTMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: $5.43
13,380En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFWS1D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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Hoja de datos

13,380En pedido

Cinta cortada

$5.43

$3.56

$2.56

$2.20

Envase tipo carrete

$2.20

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500

: 1,500

SMD/SMT

SO8FL-8

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: $5.42
5,907En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D4N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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Hoja de datos

5,907En pedido

Cinta cortada

$5.42

$3.55

$2.65

Envase tipo carrete

$2.65

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: $3.34
5,897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

5,897En pedido

Cinta cortada

$3.34

$2.12

$1.43

Envase tipo carrete

$1.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

NTMFS4D2N10MDT1G
onsemi
1: $4.71
Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

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Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas

Cinta cortada

$4.71

$3.03

$2.15

$1.81

$1.66

Envase tipo carrete

$1.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tecnología PowerTrench

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