Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

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+ 170 C

107 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NTMFWS1D5N08XT1G
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SMD/SMT

SO8FL-8

N-Channel

1 Channel

80 V

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1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

83 nC

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+ 175 C

194 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
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N-Channel

1 Channel

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509 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

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NTMFS0D6N04XMT1G
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MouseReel Disponible

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1 Channel

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
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Enhancement

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NTMFS1D3N04XMT1G
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NTMFS2D3N04XMT1G
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111 A

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NTMFS2D5N08XT1G
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Enhancement

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NTMFS3D5N08XT1G
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DFN-5

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NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
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NTMFS0D5N04XMT1G

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863-NTMFS0D5N04XMT1G

onsemi

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$2.05

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$1.40

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DFN-5

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1 Channel

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414 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XMT1G
onsemi
1: $3.08
188En existencias
6,000Se espera el 02/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D7N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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$3.08

$1.99

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$1.08

$0.952

Envase tipo carrete

$0.897

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

323 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

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72.1 nC

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134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: $1.87
1,350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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1,350En existencias

Cinta cortada

$1.87

$1.17

$0.779

$0.615

Envase tipo carrete

$0.507

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

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15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

NTTFS012N10MDTAG
onsemi
1: $2.81
9,702En existencias

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NTTFS012N10MDTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS012N10MDTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

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9,702En existencias

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$2.81

$1.86

$1.26

$1.00

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$0.863

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Mult.: 1

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WDFN-8

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D0N08XT1G
onsemi
1: $3.47
98En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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98En existencias

9,000En pedido

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$3.47

$2.22

$1.51

$1.26

$1.05

Envase tipo carrete

$1.05

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, Power 80V Single N-Channel

NTBLS0D8N08XTXG
onsemi
1: $9.14
5,970En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS0D8N08XTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS0D8N08XTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, Power 80V Single N-Channel

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Cinta cortada

$9.14

$6.32

$4.73

Envase tipo carrete

$3.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

457 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: $3.95
2,997Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D1N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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2,997Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

$3.95

$2.57

$1.78

$1.50

$1.27

Envase tipo carrete

$1.21

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q32MOHM N-FET HE SO8FL

NTMFS3D2N10MDT1G
onsemi
1: $5.47
2,741Se espera el 13/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q32MOHM N-FET HE SO8FL

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2,741Se espera el 13/03/2026

Cinta cortada

$5.47

$3.64

$3.06

$2.41

$2.02

Envase tipo carrete

$2.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

142 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

155 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 113A, 4.2mohm

NTMFS4D2N10MDT1G
onsemi
1: $3.90
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 113A, 4.2mohm

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

Cinta cortada

$3.90

$2.73

$1.90

$1.68

$1.61

Envase tipo carrete

$1.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tecnología PowerTrench

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