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TK110N65Z,S1F

Name: Toshiba TK110N65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110N65ZS1F
Price: 9.76 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK110N65ZS1F

Fabricante N.º:

TK110N65Z,S1F

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

Hoja de datos:

TK110N65Z,S1F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	110 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	40 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	190 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	35 ns
Serie:	DTMOS VI
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	90 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	62 ns
Peso de la unidad:	6 g

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Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TK110N65Z DTMOSVI Power MOSFET

Toshiba TK110N65Z DTMOSVI Power MOSFET features a low drain-source on-resistance of R_DS(ON) = 0.092Ω (typ.). The MOSFET has high-speed switching properties, lower capacitance, and an enhancement mode of Vth = 3V to 4V (V_DS = 10V, I_D = 1.02mA). The Toshiba TK110N65Z is ideal for switching power supply applications.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.