SkyFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SkyFET® Power MOSFETs integrate a MOSFET and a Schottky diode and are ideal for increasing efficiency at light loads and higher frequencies to reduce power losses in servers, notebooks, and VRMs. Their low VF and Qrr provide an advantage over standard trench MOSFETs. Other features include increased efficiency for DC-DC converter applications, reduced space by eliminating external Schottky diodes, low-side switch for synchronous rectification, and reduced power losses linked to the body diode of the MOSFET. Typical applications for Vishay / Siliconix SkyFET Power MOSFETs include point of load (PoL), synchronous rectification, VRM, synchronous buck low side for core voltages, and graphics cards.

Resultados: 14
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 6,683En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A, 60 A 4.7 mOhms, 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 18 nC, 44.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W, 32.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 5,867En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35.6 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 29.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 3,702En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 1.65 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 71.4 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 7,425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 27.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F 2,158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel, NPN 2 Channel 30 V 40 A, 60 A 12.7 mOhms, 6.58 mOhms - 12 V, 16 V 1.1 V 14.6 nC, 62 nC - 55 C + 150 C 26.6 W, 60 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F 5,231En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel, NPN 2 Channel 30 V 40 A, 60 A 6.8 mOhms, 2.7 mOhms - 12 V, 16 V 1.1 V, 1 V 14.6 nC, 37 nC - 50 C + 150 C 26.6 W, 50 W Enhancement TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 2,966En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A, 60 A 4.7 mOhms, 1.1 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V, 1.1 V 18 nC, 77 nC - 55 C + 150 C 20 W, 66 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 12,410En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.8 A, 11.4 A 11.5 mOhms, 18.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.8 nC, 11.6 nC - 55 C + 150 C 1.4 W, 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F 2,950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel, NPN 2 Channel 25 V 40 A, 60 A 6.2 mOhms, 1.5 mOhms - 12 V, 16 V 1.1 V 14 nC, 65 nC - 50 C + 150 C 26.6 W, 60 W Enhancement TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F 7,382En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 76 A, 197 A 3.07 mOhms, 1.05 mOhms - 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 125 nC - 55 C + 150 C 28 W, 74 W Enhancement TrenchFET; PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2) 2,639En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 30 V 54.8 A, 94.6 A 33.8 mOhms, 43.9 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 12 nC, 31.1 nC - 55 C + 150 C 20 W, 32.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 7,779En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 24 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 No en existencias
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 No en existencias
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 46.3 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel