RF3L05150CB4

STMicroelectronics
511-RF3L05150CB4
RF3L05150CB4

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Complete su diseño

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre STMicroelectronics RF3L05150CB4

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
28 V
1 Ohms
945 MHz
16 dB
150 W
+ 200 C
Through Hole
LBB-4
LDMOS FET
Reel
Cut Tape
Marca: STMicroelectronics
Número de canales: 1 Channel
Tipo de producto: RF MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: RF Transistors
Tipo: RF Power MOSFET
Peso de la unidad: 2.400 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.

RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor is a 150W, 28/32V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications. The STM RF3L05150CB4 LDMOS Transistor is designed for applications with frequencies from HF to 1GHz. The RF3L05150CB4 can be used in class AB, B, or C for all typical modulation formats.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
El envío de este producto es GRATUITO

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$262.83 $262.83
$205.17 $2,051.70
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
$205.17 $20,517.00

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Por favor, visite el Centro de ayuda.
Para hacer preguntas con respecto a un pedido específico, por favor, inicie sesión en su cuenta.

Si surgen más problemas, por favor, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.