Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 59

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ040N04LS G
Infineon Technologies
1: $2.41
802Se espera el 22/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ040N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ040N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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802Se espera el 22/07/2027

Cinta cortada

$2.41

$1.48

$0.976

$0.767

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Envase tipo carrete

$0.495

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC059N04LS G
Infineon Technologies
1: $1.87
4,995En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC059N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3

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4,995En pedido

Cinta cortada

$1.87

$1.16

$0.761

$0.598

Envase tipo carrete

$0.411

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

73 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC067N06LS3 G
Infineon Technologies
5,000: $0.385
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N.º de artículo del Fabricante
BSC067N06LS3 G

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726-BSC067N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Envase tipo carrete

$0.385

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC100N06LS3 G
Infineon Technologies
5,000: $0.611
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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BSC100N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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$0.611

$0.568

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC190N15NS3 G
Infineon Technologies
5,000: $1.42
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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BSC190N15NS3 G

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726-BSC190N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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$1.42

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
5,000: $0.382
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ060NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ060NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Envase tipo carrete

$0.382

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ100N06LS3 G
Infineon Technologies
5,000: $0.575
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Envase tipo carrete

$0.575

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
5,000: $0.724
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ160N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Envase tipo carrete

$0.724

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC027N04LS G
Infineon Technologies
5,000: $0.452
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC027N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC027N04LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$0.452

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS 5

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
13 A
18 A
20 A
21 A
29 A
33 A
35 A
36 A
39 A
40 A
44 A
49 A
50 A
57 A
58 A
63 A
73 A
80 A
81 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.3 mOhms

7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16.2 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
23 nC
25 nC
26 nC
29 nC
31 nC

2.5 W
25 W
26 W
28 W
29 W
30 W
35 W
37 W
38 W
48 W
50 W
57 W
63 W
69 W
71 W
74 W
78 W
79 W
83 W
96 W