Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS

BSC0904NSI
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
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BSC109N10NS3 G
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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IPB081N06L3 G

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Infineon Technologies

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79 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB029N06N3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB029N06N3 G

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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$3.89

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$1.51

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$1.29

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC019N04NS G
Infineon Technologies
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265En existencias
5,000Se espera el 03/02/2027

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BSC019N04NS G

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726-BSC019N04NSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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265En existencias

5,000Se espera el 03/02/2027

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$2.41

$1.53

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

BSC050NE2LS
Infineon Technologies
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BSC050NE2LS

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726-BSC050NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS

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10,250En existencias

Cinta cortada

$1.38

$0.859

$0.56

$0.432

Envase tipo carrete

$0.307

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TDSON-8

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58 A

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC067N06LS3 G
Infineon Technologies
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20,052En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC067N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC067N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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20,052En existencias

Cinta cortada

$2.55

$1.64

$1.13

$0.957

$0.813

Envase tipo carrete

$0.69

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

60 V

50 A

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1.2 V

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69 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NS
Infineon Technologies
1: $1.66
46En existencias

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BSC0901NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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$1.66

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$0.568

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$0.398

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TDSON-8

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30 V

100 A

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1.2 V

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NS
Infineon Technologies
1: $1.66
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N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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$1.04

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$0.568

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TDSON-8

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1 Channel

30 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: $1.08
5,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0906NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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$0.673

$0.437

$0.334

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$0.235

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC093N04LS G
Infineon Technologies
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BSC093N04LS G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

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TDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC100N06LS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSC100N06LS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N06LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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60 V

50 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

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N-Channel

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150 V

50 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

OptiMOS

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BSC252N10NSF G
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

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100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

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40 A

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2 V

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26 W

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Recursos

Soporte

11 A
13 A
18 A
20 A
21 A
29 A
33 A
35 A
36 A
39 A
40 A
44 A
48 A
49 A
50 A
57 A
58 A
63 A
73 A
78 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.7 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms

7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16.2 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
23 nC
25 nC
26 nC
29 nC
31 nC

2.5 W
25 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
35 W
37 W
38 W
48 W
50 W
57 W
63 W
69 W
71 W
74 W
78 W
79 W
83 W