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STGWA75H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA75H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA75H65DFB2
Price: 7.12 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STGWA75H65DFB2

Fabricante N.º:

STGWA75H65DFB2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	115 A
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	6.100 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium V_CE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT features a low V_CE(sat) of 1.55V (typical) at an I_C of 75A.