Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ2x Dual N-Channel Auto MOSFETs

Vishay SQJ2x Dual N-Channel Auto MOSFETs are AEC-Q101-qualified modules that are part of the TrenchFET® power MOSFET series. The SQJ2x devices are housed in SO-8L packages with an operating junction and storage temperature range of -55°C to +175°C. The SQJ200 series has a drain-source voltage of 20V_DS while the SQJ202 and SQJ204 have a 12V_DS drain-source voltage. The SQJ200 and SQJ202 modules provide 20V_GS gate to source voltage and the SQJ204 series offers 12V_GS. The SQJ244 and SQJ208 MOSFETs offer 40V_DS and ±20V_GS. The SQJ260, SQJ262, and SQJ264 MOSFETs provide 60V_DS and ±20V_GS. Applications for Vishay SQJ2x Dual N-Channel Auto MOSFETs include e-bikes, infotainment, cameras, and radars.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.70
71,157En existencias

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SQJ208EP-T1_GE3

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78-SQJ208EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A, 60 A

9.4 mOhms, 3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V, 1.4 V

33 nC, 75 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

SQJ262EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.47
5,552En existencias

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SQJ262EP-T1_GE3

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78-SQJ262EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

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$2.47

$1.59

$1.06

$0.841

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$0.637

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A, 40 A

29.5 mOhms, 12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.5 nC, 14.5 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

SQJ260EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ260EP-T1_GE3

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78-SQJ260EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A, 54 A

15.5 mOhms, 7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC, 25 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ244EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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8,708En existencias

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SQJ244EP-T1_GE3

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78-SQJ244EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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$1.69

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A, 60 A

4.5 mOhms, 11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC, 45 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ200EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ200EP-T1_GE3

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78-SQJ200EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

20 V

20 A, 60 A

7.4 mOhms, 3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC, 43 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ204EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ204EP-T1_GE3

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78-SQJ204EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

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Cinta cortada

$2.64

$1.69

$1.14

$0.905

$0.837

Envase tipo carrete

$0.696

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

3 mOhms, 8.3 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

20 nC, 50 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.60
2,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ202EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ202EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

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2,250En existencias

Cinta cortada

$2.60

$1.66

$1.12

$0.892

Envase tipo carrete

$0.723

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

5.2 mOhms, 2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC, 54 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ264EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $3.03
523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ264EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ264EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

60 V

54 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerPAK

Reel, Cut Tape

SQJ2x Dual N-Channel Auto MOSFETs

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