Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ100N03MS G
Infineon Technologies
1:
$1.29
1,180 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1,180 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.29
10
$0.796
100
$0.545
500
$0.428
5,000
$0.28
10,000
Ver
1,000
$0.356
2,500
$0.33
10,000
$0.265
25,000
$0.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.22
677 En existencias
10,000 Se espera el 24/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSGATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
677 En existencias
10,000 Se espera el 24/12/2026
Embalaje alternativo
1
$1.22
10
$0.764
100
$0.384
1,000
$0.315
5,000
$0.273
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ100N06LS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.12
8,543 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06LS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
8,543 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.12
10
$1.35
100
$0.896
500
$0.735
1,000
Ver
5,000
$0.529
1,000
$0.644
2,500
$0.624
5,000
$0.529
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
7.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.05
250 En existencias
9,800 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
250 En existencias
9,800 En pedido
Ver fechas
Existencias:
250 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,800 Se espera el 02/07/2026
5,000 Se espera el 13/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$2.05
10
$1.24
100
$0.893
500
$0.72
1,000
Ver
5,000
$0.53
1,000
$0.645
2,500
$0.634
5,000
$0.53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
11 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ123N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.60
9,330 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ123N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
9,330 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.60
10
$1.65
100
$1.10
500
$0.902
5,000
$0.651
10,000
Ver
1,000
$0.79
2,500
$0.767
10,000
$0.65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
40 A
10.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
66 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ130N03LS G
Infineon Technologies
1:
$1.18
2,913 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ130N03LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
2,913 En existencias
1
$1.18
10
$0.737
100
$0.48
500
$0.368
5,000
$0.26
10,000
Ver
1,000
$0.302
10,000
$0.231
25,000
$0.229
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
35 A
16.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
9.5 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.52
2,025 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
2,025 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.52
10
$1.61
100
$1.07
500
$0.875
1,000
Ver
5,000
$0.647
1,000
$0.766
2,500
$0.763
5,000
$0.647
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
13 A
74 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
7 nC
- 55 C
+ 150 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IPB014N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.46
45 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N04NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
45 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
191 A
1.45 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1:
$3.54
967 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
967 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.54
10
$2.28
100
$1.63
500
$1.38
1,000
$1.17
2,000
Ver
2,000
$1.11
5,000
$1.10
10,000
$1.07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
88 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPB050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.76
546 En existencias
800 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
546 En existencias
800 En pedido
1
$2.76
10
$1.82
100
$1.22
500
$1.14
800
$0.794
2,400
Ver
2,400
$0.768
24,800
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
103 A
5.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
1:
$4.37
508 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
508 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.37
10
$2.85
100
$2.18
500
$1.82
1,000
Ver
1,000
$1.56
2,500
$1.48
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$4.33
1,026 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1,026 En existencias
1
$4.33
10
$2.98
100
$2.08
500
$1.90
800
$1.47
9,600
$1.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
160 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
230 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
IRFS7730TRL7PP
Infineon Technologies
1:
$3.73
167 En existencias
1,600 Se espera el 05/03/2026
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRL7PP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
167 En existencias
1,600 Se espera el 05/03/2026
1
$3.73
10
$3.04
100
$2.59
500
$2.13
800
$2.04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
75 V
240 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
285 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$5.42
853 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
853 En existencias
1
$5.42
10
$3.55
100
$2.67
500
$2.37
800
$1.83
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
195 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
271 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC027N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.96
5,756 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC027N04LSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
5,756 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.96
10
$1.23
100
$0.816
500
$0.645
1,000
Ver
5,000
$0.464
1,000
$0.581
2,500
$0.549
5,000
$0.464
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
85 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS 5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC035N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.86
587 En existencias
5,000 Se espera el 03/09/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC035N04LSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
587 En existencias
5,000 Se espera el 03/09/2026
Embalaje alternativo
1
$1.86
10
$1.16
100
$0.774
500
$0.611
1,000
Ver
5,000
$0.454
1,000
$0.55
2,500
$0.454
5,000
$0.454
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.76
1,065 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1,065 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.76
10
$1.77
100
$1.22
500
$1.03
1,000
Ver
5,000
$0.766
1,000
$0.863
2,500
$0.797
5,000
$0.766
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ067N06LS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.68
1,525 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ067N06LS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
1,525 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.68
10
$1.70
100
$1.13
500
$0.927
1,000
Ver
5,000
$0.668
1,000
$0.811
2,500
$0.788
5,000
$0.668
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
5.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1:
$1.77
5,000 Se espera el 13/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
5,000 Se espera el 13/08/2026
Embalaje alternativo
1
$1.77
10
$1.11
100
$0.738
500
$0.606
1,000
Ver
5,000
$0.413
1,000
$0.524
2,500
$0.488
5,000
$0.413
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
73 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ040N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.89
10,000 Se espera el 27/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ040N04LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
10,000 Se espera el 27/08/2026
Embalaje alternativo
1
$1.89
10
$1.18
100
$0.787
500
$0.621
1,000
Ver
5,000
$0.462
1,000
$0.56
2,500
$0.514
5,000
$0.462
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
105 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ110N06NS3 G
Infineon Technologies
1:
$1.66
24,995 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N06NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
24,995 En pedido
Ver fechas
En pedido:
14,995 Se espera el 31/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$1.66
10
$1.03
100
$0.681
500
$0.53
1,000
Ver
5,000
$0.384
1,000
$0.467
2,500
$0.443
5,000
$0.384
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
8.8 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0904NSI
Infineon Technologies
1:
$1.43
3,819 Se espera el 12/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSI
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
3,819 Se espera el 12/03/2026
Embalaje alternativo
1
$1.43
10
$0.887
100
$0.581
500
$0.449
1,000
Ver
5,000
$0.321
1,000
$0.407
2,500
$0.38
5,000
$0.321
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
IRF1010EZPBF
Infineon Technologies
1:
$2.70
1,990 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRF1010EZPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
1,990 En pedido
1
$2.70
10
$1.31
100
$1.17
500
$0.933
1,000
Ver
1,000
$0.858
2,000
$0.80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
8.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
86 nC
- 55 C
+ 175 C
140 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.50
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
1
$3.50
10
$1.73
100
$1.56
500
$1.21
1,000
Ver
1,000
$1.07
2,500
$1.06
5,000
$1.02
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
69 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
36 W
Enhancement
Tube