Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1:
$7.23
364 En existencias
1,000 Se espera el 31/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
364 En existencias
1,000 Se espera el 31/08/2026
Embalaje alternativo
1
$7.23
10
$4.73
100
$3.54
500
$3.08
1,000
$2.59
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
100 A
7.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB081N06L3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
477 En existencias
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1
$2.86
10
$1.82
100
$1.22
500
$1.01
1,000
$0.859
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Ver
2,000
$0.827
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$0.79
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Min.: 1
Mult.: 1
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1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
6.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
79 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1:
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726-IPP110N20N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
207 En existencias
3,000 En pedido
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207 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
500 Se espera el 05/11/2026
1,500 Se espera el 26/11/2026
1,000 Se espera el 11/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
$7.84
10
$5.14
100
$3.84
500
$3.20
1,000
$2.81
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.9 mOhms
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2 V
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+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
IPP111N15N3 G
Infineon Technologies
1:
$6.12
718 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP111N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
718 En existencias
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1
$6.12
10
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$2.99
500
$2.50
1,000
Ver
1,000
$2.31
2,500
$2.20
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Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
83 A
9.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
1:
$4.77
707 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
707 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.77
10
$3.11
100
$2.18
500
$1.82
1,000
Ver
1,000
$1.68
2,500
$1.59
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
IRFS7537TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$4.54
809 En existencias
800 Se espera el 03/09/2026
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7537TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
809 En existencias
800 Se espera el 03/09/2026
1
$4.54
10
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$2.05
500
$1.59
800
$1.55
Comprar
Min.: 1
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Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263AB-3
N-Channel
1 Channel
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173 A
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+ 175 C
230 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$7.01
643 En existencias
800 Se espera el 17/09/2026
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7730TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET
643 En existencias
800 Se espera el 17/09/2026
1
$7.01
10
$5.73
500
$2.87
800
$2.48
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
195 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
271 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
IRLB3036PBF
Infineon Technologies
1:
$5.08
549 En existencias
3,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3036PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
549 En existencias
3,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
549 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 22/04/2027
1,000 Se espera el 10/06/2027
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas
1
$5.08
10
$3.21
100
$2.34
1,000
$1.72
2,000
$1.63
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
195 A
2.8 mOhms
- 16 V, 16 V
1.8 V
140 nC
- 55 C
+ 175 C
380 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
IRFB7546PBF
Infineon Technologies
1:
$1.90
1,334 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7546PBF
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
1,334 En existencias
1
$1.90
10
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1,000
Ver
1,000
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25,000
$0.511
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
75 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
58 nC
- 55 C
+ 175 C
99 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC019N04NS G
Infineon Technologies
1:
$2.46
339 En existencias
20,000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC019N04NSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
339 En existencias
20,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
339 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 31/12/2026
5,000 Se espera el 16/06/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$2.46
10
$1.53
100
$1.01
500
$0.793
1,000
Ver
5,000
$0.55
1,000
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2,500
$0.634
5,000
$0.55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
29 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
108 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
$4.12
4,158 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
4,158 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.12
10
$2.67
100
$1.83
500
$1.53
1,000
Ver
5,000
$1.34
1,000
$1.42
2,500
$1.34
5,000
$1.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
90 A
5.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC120N03LS G
Infineon Technologies
1:
$1.33
5,272 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC120N03LSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
5,272 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.33
10
$0.944
100
$0.588
500
$0.406
5,000
$0.26
10,000
Ver
1,000
$0.341
2,500
$0.306
10,000
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25,000
$0.221
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
39 A
10 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1:
$1.92
24 En existencias
5,000 Se espera el 22/04/2027
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
24 En existencias
5,000 Se espera el 22/04/2027
1
$1.92
10
$1.21
100
$0.805
500
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5,000
$0.472
10,000
Ver
1,000
$0.524
10,000
$0.468
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
113 A
3.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ050N03MS G
Infineon Technologies
1:
$1.96
730 En existencias
5,000 Se espera el 29/10/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03MSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
730 En existencias
5,000 Se espera el 29/10/2026
1
$1.96
10
$1.22
100
$0.803
500
$0.662
1,000
Ver
5,000
$0.436
1,000
$0.532
2,500
$0.503
5,000
$0.436
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
80 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1:
$4.99
251 En existencias
1,600 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
251 En existencias
1,600 En pedido
Ver fechas
Existencias:
251 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
800 Se espera el 26/08/2026
800 Se espera el 26/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
1
$4.99
10
$3.26
100
$2.29
500
$1.77
800
$1.76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
210 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
IRFS7734TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$5.03
267 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7734TRLPBF
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
267 En existencias
1
$5.03
10
$3.28
100
$2.30
500
$1.92
800
$1.78
2,400
$1.68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
183 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
270 nC
- 55 C
+ 175 C
290 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.40
4,600 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
4,600 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.40
10
$0.862
100
$0.567
500
$0.446
5,000
$0.299
10,000
Ver
1,000
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2,500
$0.352
10,000
$0.295
25,000
$0.29
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
58 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
10.4 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
$3.26
453 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC057N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
453 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.26
10
$2.07
100
$1.40
500
$1.13
1,000
Ver
5,000
$0.909
1,000
$1.01
2,500
$0.945
5,000
$0.909
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
4.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
114 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0902NS
Infineon Technologies
1:
$2.15
2,876 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
2,876 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.15
10
$1.33
100
$0.87
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$0.684
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$0.458
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1,000
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2,500
$0.54
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$0.439
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
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30,160 Se espera el 12/11/2026
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BSC061N08NS5ATMA1
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5,000 Se espera el 03/08/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8
5,000 Se espera el 03/08/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ110N06NS3 G
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726-BSZ110N06NS3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
24,995 En pedido
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En pedido:
9,995 Se espera el 24/06/2027
15,000 Se espera el 29/07/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
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TSDSON-8
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