Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

Resultados: 124
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 2,498En existencias
3,000Se espera el 02/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 34 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power 1,020En existencias
2,000Se espera el 05/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 195 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 271 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg 982En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg 2,167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 33 A 34.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 26 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7 1,289En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-252-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS 9,773En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK 770En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS 16,688En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.25 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS 8,748En existencias
4,000Se espera el 16/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 950 uOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 36 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 25,376En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 230 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 72 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS 6,548En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 82 A 4 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A 4,758En existencias
20,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 61 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 3,606En existencias
5,000Se espera el 02/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 7,552En existencias
2,200Se espera el 02/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3 3,717En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3 7,781En existencias
10,000Se espera el 30/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 21 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 10,958En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 149 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M 6,218En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 113 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 6,251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 5,862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 106 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3 2,683En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 83 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 4,605En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 2,219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg 3,737En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg 12,149En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 43 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 22 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel