Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1:
$4.94
2,498 En existencias
3,000 Se espera el 02/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,498 En existencias
3,000 Se espera el 02/03/2026
Embalaje alternativo
1
$4.94
10
$3.22
100
$2.52
500
$2.12
1,000
$1.79
2,000
$1.72
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
34 A
28 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
IRFB7730PBF
Infineon Technologies
1:
$3.16
1,020 En existencias
2,000 Se espera el 05/03/2026
N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7730PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
1,020 En existencias
2,000 Se espera el 05/03/2026
1
$3.16
10
$1.92
100
$1.86
500
$1.72
1,000
$1.70
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
75 V
195 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
271 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$6.19
982 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
982 En existencias
1
$6.19
10
$4.23
25
$4.20
100
$3.04
800
$2.34
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263
N-Channel
1 Channel
60 V
270 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
IRFS4615TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$2.03
2,167 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4615TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
2,167 En existencias
1
$2.03
10
$1.42
100
$1.27
500
$1.26
800
$0.901
2,400
$0.867
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Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
33 A
34.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
26 nC
- 55 C
+ 175 C
144 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
1:
$3.71
1,289 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
1,289 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-7
N-Channel
1 Channel
60 V
300 A
1.9 mOhms
- 16 V, 16 V
2.5 V
160 nC
- 55 C
+ 175 C
380 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS
BSC0904NSI
Infineon Technologies
1:
$1.51
9,773 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0904NSI
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS
9,773 En existencias
1
$1.51
10
$0.945
100
$0.621
500
$0.482
5,000
$0.338
10,000
Ver
1,000
$0.399
10,000
$0.32
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
78 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
IRFS7540TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$3.55
770 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7540TRLPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
770 En existencias
1
$3.55
10
$2.30
100
$1.59
500
$1.16
800
$1.08
2,400
Ver
2,400
$1.05
24,800
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
110 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
88 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.87
16,688 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
16,688 En existencias
1
$2.87
10
$1.77
100
$1.33
500
$1.10
1,000
Ver
5,000
$0.88
1,000
$1.06
5,000
$0.88
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.25 mOhms
- 16 V, 16 V
1.2 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.06
8,748 En existencias
4,000 Se espera el 16/04/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5IATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
8,748 En existencias
4,000 Se espera el 16/04/2026
1
$3.06
10
$2.02
100
$1.53
500
$1.26
1,000
Ver
5,000
$1.03
1,000
$1.25
2,500
$1.22
5,000
$1.03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
950 uOhms
- 16 V, 16 V
1.2 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC011N03LS
Infineon Technologies
1:
$2.74
25,376 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
25,376 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.74
10
$1.76
100
$1.22
500
$1.03
5,000
$0.763
10,000
Ver
1,000
$0.898
10,000
$0.751
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
230 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.87
6,548 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC026NE2LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
6,548 En existencias
1
$1.87
10
$1.20
100
$0.823
500
$0.672
5,000
$0.507
10,000
Ver
1,000
$0.595
2,500
$0.572
10,000
$0.498
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
82 A
4 mOhms
- 16 V, 16 V
1.2 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.80
4,758 En existencias
20,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
4,758 En existencias
20,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
4,758 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 08/05/2026
10,000 Se espera el 02/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas
1
$3.80
10
$2.47
100
$1.70
500
$1.42
1,000
Ver
5,000
$1.15
1,000
$1.35
2,500
$1.31
5,000
$1.15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.54
3,606 En existencias
5,000 Se espera el 02/04/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC040N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
3,606 En existencias
5,000 Se espera el 02/04/2026
1
$3.54
10
$2.29
100
$1.59
500
$1.29
1,000
Ver
5,000
$1.05
1,000
$1.27
5,000
$1.05
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.53
7,552 En existencias
2,200 Se espera el 02/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
7,552 En existencias
2,200 Se espera el 02/03/2026
Embalaje alternativo
1
$1.53
10
$0.595
100
$0.488
500
$0.451
1,000
Ver
5,000
$0.373
1,000
$0.432
2,500
$0.43
5,000
$0.373
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC109N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.73
3,717 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC109N10NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
3,717 En existencias
1
$2.73
10
$1.76
100
$1.18
500
$0.94
1,000
Ver
5,000
$0.728
1,000
$0.876
2,500
$0.846
5,000
$0.728
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
63 A
10.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
$1.94
7,781 En existencias
10,000 Se espera el 30/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC520N15NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
7,781 En existencias
10,000 Se espera el 30/07/2026
1
$1.94
10
$1.26
100
$0.866
500
$0.701
5,000
$0.542
10,000
Ver
1,000
$0.645
10,000
$0.54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
21 A
52 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
8.7 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ019N03LS
Infineon Technologies
1:
$2.55
10,958 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
10,958 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.55
10
$1.63
100
$1.13
500
$0.954
5,000
$0.707
10,000
Ver
1,000
$0.832
10,000
$0.696
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
149 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
1:
$1.77
6,218 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
6,218 En existencias
1
$1.77
10
$1.12
100
$0.738
500
$0.606
5,000
$0.434
10,000
Ver
1,000
$0.524
2,500
$0.48
10,000
$0.415
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
113 A
3.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ050N03LS G
Infineon Technologies
1:
$1.34
6,251 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
6,251 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.34
10
$0.829
100
$0.541
500
$0.416
5,000
$0.296
10,000
Ver
1,000
$0.377
2,500
$0.35
10,000
$0.282
25,000
$0.273
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
6.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0902NS
Infineon Technologies
1:
$1.74
5,862 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
5,862 En existencias
1
$1.74
10
$1.09
100
$0.724
500
$0.566
1,000
Ver
5,000
$0.39
1,000
$0.48
2,500
$0.471
5,000
$0.39
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
106 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
1:
$5.07
2,683 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IP726-B108N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,683 En existencias
1
$5.07
10
$3.37
100
$2.42
500
$2.20
1,000
$1.82
2,000
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2,000
$1.81
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Presupuesto
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
83 A
10.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
1:
$7.62
4,605 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
4,605 En existencias
Embalaje alternativo
1
$7.62
10
$5.76
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$4.65
500
$4.16
1,000
$3.54
2,000
$3.52
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1:
$6.67
2,219 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
2,219 En existencias
Embalaje alternativo
1
$6.67
10
$4.43
100
$3.65
500
$3.09
1,000
$2.72
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1:
$5.15
3,737 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
3,737 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
210 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$1.68
12,149 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
12,149 En existencias
1
$1.68
10
$1.16
25
$1.15
100
$0.901
800
$0.684
2,400
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$0.649
4,800
$0.647
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
43 A
12.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel