Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK

IRFS7540TRLPBF
Infineon Technologies
1: $3.55
645En existencias
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IRFS7540TRLPBF

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942-IRFS7540TRLPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK

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$3.55

$2.30

$1.50

$1.29

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$1.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

160 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC035N04LS G
Infineon Technologies
1: $1.63
5,483En existencias
NRND

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BSC035N04LS G

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726-BSC035N04LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

5,483En existencias

Cinta cortada

$1.63

$1.00

$0.662

$0.52

Envase tipo carrete

$0.348

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
1: $5.90
964En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRLPBF

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942-IRFS3006TRLPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

Hoja de datos

964En existencias

Cinta cortada

$5.90

$3.89

$2.74

$2.72

Envase tipo carrete

$2.35

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

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- 20 V, 20 V

4 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg

IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies
1: $2.63
7,607En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3806TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3806TRLPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg

Hoja de datos

7,607En existencias

Cinta cortada

$2.63

$1.68

$1.13

$0.841

Envase tipo carrete

$0.75

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

43 A

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- 20 V, 20 V

1.8 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
1: $6.94
850En existencias
NRND

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IRLS3036TRL7PP

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

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850En existencias

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$6.94

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Envase tipo carrete

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D2PAK-7

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1 Channel

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300 A

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+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Infineon Technologies
1: $6.08
3,104En existencias
3,200Se espera el 12/11/2026
NRND

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942-IRLS3036TRLPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

Hoja de datos

3,104En existencias

3,200Se espera el 12/11/2026

Cinta cortada

$6.08

$4.02

$2.85

$2.28

Envase tipo carrete

$2.28

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

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- 16 V, 16 V

2.5 V

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380 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

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Infineon Technologies
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IRFS3006TRL7PP

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942-IRFS3006TRL7PP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

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593En existencias

Cinta cortada

$6.79

$4.51

$3.21

$3.02

Envase tipo carrete

$2.64

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

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1 Channel

60 V

293 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

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200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
1: $2.93
2,982En existencias

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BSC011N03LS

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726-BSC011N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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$2.93

$1.86

$1.25

$1.01

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$0.814

MouseReel Disponible

Min.: 1
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230 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1: $1.63
3,067En existencias

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BSC032NE2LS

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726-BSC032NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

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$1.63

$1.00

$0.659

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TDSON-8

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84 A

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+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042N03LS G
Infineon Technologies
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4,097En existencias
5,000Se espera el 07/01/2027

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BSC042N03LS G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

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5,000Se espera el 07/01/2027

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$1.48

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$0.606

$0.468

Envase tipo carrete

$0.346

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1 Channel

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93 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

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+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC050N04LS G
Infineon Technologies
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5,000Se espera el 04/03/2027

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BSC050N04LS G

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726-BSC050N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

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1,312En existencias

5,000Se espera el 04/03/2027

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$1.68

$1.20

$0.745

$0.514

Ver

Envase tipo carrete

$0.281

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

BSC052N03LS
Infineon Technologies
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BSC052N03LS

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726-BSC052N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS

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3,374En existencias

5,000Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

$1.29

$0.781

$0.554

$0.426

Envase tipo carrete

$0.307

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

57 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NS
Infineon Technologies
1: $2.65
16En existencias

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BSC0901NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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16En existencias

Cinta cortada

$2.65

$1.66

$1.10

$0.87

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$0.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

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+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.46
900En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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900En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

$2.46

$1.56

$1.05

$0.761

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Envase tipo carrete

$0.655

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: $1.50
1,025En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC0906NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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1,025En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

$1.50

$0.922

$0.605

$0.472

Ver

Envase tipo carrete

$0.316

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

63 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC093N04LS G
Infineon Technologies
1: $1.30
6,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC093N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

6,753En existencias

Cinta cortada

$1.30

$0.92

$0.573

$0.395

Envase tipo carrete

$0.254

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: $3.13
201En existencias
5,000Se espera el 26/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

201En existencias

5,000Se espera el 26/08/2026

Cinta cortada

$3.13

$1.99

$1.35

$1.09

Ver

Envase tipo carrete

$0.875

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC340N08NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.86
24,914En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

24,914En existencias

Cinta cortada

$1.86

$1.15

$0.755

$0.594

Envase tipo carrete

$0.398

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

23 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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232En existencias
5,000Se espera el 03/08/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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Hoja de datos

232En existencias

5,000Se espera el 03/08/2027

Cinta cortada

$2.85

$1.53

$1.23

$0.976

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Envase tipo carrete

$0.805

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0902NS
Infineon Technologies
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32En existencias
15,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0902NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

32En existencias

15,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

$2.39

$1.51

$1.00

$0.79

Ver

Envase tipo carrete

$0.605

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

106 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

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+ 150 C

48 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSI
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- 20 V, 20 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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TSDSON-8

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1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

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30 W

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OptiMOS

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BSZ100N03MSGATMA1
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TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB020N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Designing Power Systems

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
13 A
16 A
18 A
20 A
21 A
23 A
29 A
33 A
34 A
35 A
36 A
39 A
40 A
43 A
44 A
49 A
50 A
57 A
58 A

950 uOhms
1.1 mOhms
1.25 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms

7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16.2 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
22 nC
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24 nC
25 nC
26 nC

2.5 W
3.6 W
25 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
35 W
36 W
37 W
38 W
48 W
50 W
54 W
57 W
63 W
66 W
69 W
71 W