Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ097N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.52
181,869 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N04LSG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
181,869 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.52
10
$0.954
100
$0.629
500
$0.499
5,000
$0.363
10,000
Ver
1,000
$0.443
2,500
$0.406
10,000
$0.341
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
14.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB025N08N3 G
Infineon Technologies
1:
$6.62
5,582 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N08N3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
5,582 En existencias
1
$6.62
10
$4.76
100
$3.42
500
$3.30
1,000
$2.69
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
206 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
1:
$12.82
3,837 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20NAATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2
3,837 En existencias
Embalaje alternativo
1
$12.82
10
$9.72
100
$8.10
500
$7.22
1,000
$6.42
2,000
Ver
2,000
$6.41
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
88 A
9.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
1:
$3.39
879 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
879 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.39
10
$2.20
100
$1.57
500
$1.33
1,000
$1.12
2,000
Ver
2,000
$1.06
5,000
$1.03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
98 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
1:
$1.64
4,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
4,368 En existencias
1
$1.64
10
$1.03
100
$0.681
500
$0.53
4,000
$0.374
8,000
Ver
1,000
$0.481
2,000
$0.442
8,000
$0.36
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
30 V
120 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
3.6 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
1:
$1.53
3,359 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
3,359 En existencias
1
$1.53
10
$0.956
100
$0.625
500
$0.484
4,000
$0.343
8,000
Ver
1,000
$0.438
2,000
$0.399
8,000
$0.316
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
30 V
90 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
54 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC090N03LS G
Infineon Technologies
1:
$1.25
8,069 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-BSC090N03LSG
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3
8,069 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.25
10
$0.775
100
$0.506
500
$0.39
5,000
$0.272
10,000
Ver
1,000
$0.352
2,500
$0.32
10,000
$0.264
25,000
$0.255
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
48 A
7.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.61
3,200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
3,200 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.61
10
$1.01
100
$0.667
500
$0.529
5,000
$0.386
10,000
Ver
1,000
$0.469
2,500
$0.429
10,000
$0.361
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
84 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
IRFS7734TRLPBF
Infineon Technologies
1:
$1.52
779 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7734TRLPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V Single N-Channel HEXFET Power
779 En existencias
1
$1.52
800
$1.46
9,600
$1.42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
75 V
183 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
270 nC
- 55 C
+ 175 C
290 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ065N03LS
Infineon Technologies
1:
$1.42
4,688 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
4,688 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.42
10
$0.888
100
$0.579
500
$0.446
5,000
$0.328
10,000
Ver
1,000
$0.403
2,500
$0.367
10,000
$0.303
25,000
$0.293
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
49 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
1:
$1.95
2,170 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
2,170 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.95
10
$1.23
100
$0.816
500
$0.645
5,000
$0.48
10,000
Ver
1,000
$0.581
2,500
$0.533
10,000
$0.464
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ340N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
$1.55
4,212 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ340N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
4,212 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.55
10
$0.965
100
$0.636
500
$0.504
5,000
$0.354
10,000
Ver
1,000
$0.449
2,500
$0.41
10,000
$0.352
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
23 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V
IRFB3306PBFXKMA1
Infineon Technologies
1:
$3.29
2,196 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IRFB3306PBFXKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V
2,196 En existencias
1
$3.29
10
$1.63
100
$1.44
500
$1.14
1,000
Ver
1,000
$1.05
2,000
$0.975
5,000
$0.954
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220AB-3
N-Channel
1 Channel
60 V
16 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
230 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.13
17,132 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8
17,132 En existencias
1
$2.13
10
$1.56
100
$1.44
500
$1.31
5,000
$1.10
10,000
Ver
1,000
$1.29
2,500
$1.26
10,000
$1.08
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
95 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1:
$1.90
53,702 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7545PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
53,702 En existencias
1
$1.90
10
$0.894
100
$0.797
500
$0.625
1,000
Ver
1,000
$0.568
2,000
$0.521
5,000
$0.472
10,000
$0.459
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
95 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC028N06LS3 G
Infineon Technologies
1:
$4.20
35,376 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06LS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
35,376 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.20
10
$2.72
100
$2.00
500
$1.68
1,000
Ver
5,000
$1.37
1,000
$1.43
2,500
$1.37
5,000
$1.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
175 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC059N04LS G
Infineon Technologies
1:
$1.57
5,086 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
5,086 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.57
10
$0.98
100
$0.645
500
$0.512
5,000
$0.361
10,000
Ver
1,000
$0.455
2,500
$0.426
10,000
$0.35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
73 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1:
$6.63
1,243 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
1,243 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
60 V
293 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.8 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1:
$4.16
3,710 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
3,710 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.16
10
$2.72
100
$2.08
500
$1.74
1,000
$1.61
5,000
$1.35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
75 V
100 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
BSC070N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.12
7,791 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC070N10LS5ATM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
7,791 En existencias
1
$2.12
10
$1.60
100
$1.29
500
$1.18
1,000
Ver
5,000
$0.897
1,000
$1.08
2,500
$1.02
5,000
$0.897
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
79 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.39
14,899 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC070N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
14,899 En existencias
1
$2.39
10
$1.63
25
$1.57
100
$1.14
250
Ver
5,000
$0.729
250
$1.12
500
$0.941
1,000
$0.891
5,000
$0.729
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8
BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.42
15,025 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC117N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8
15,025 En existencias
1
$2.42
10
$1.46
100
$1.04
500
$0.855
1,000
Ver
5,000
$0.649
1,000
$0.796
2,500
$0.783
5,000
$0.649
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
49 A
11.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$6.37
900 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
900 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
133 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$5.42
1,565 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
1,565 En existencias
1
$5.42
10
$3.82
100
$3.09
1,000
$2.55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
120 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1:
$5.30
1,881 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1,881 En existencias
Embalaje alternativo
1
$5.30
10
$3.48
100
$2.61
500
$2.33
1,000
$1.96
2,000
$1.86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
100 A
7.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel