Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 100V 18.0 Rds
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146En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130Amps 200V
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240En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds
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96En existencias
300Se espera el 25/03/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
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73En existencias
1,230En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds
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847En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds
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150En existencias
600En pedido
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 250V 50 Rds
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235En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id60 BVdass100
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40En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench POWER Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200v, 60A
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67En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds
Hoja de datos
220En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 100V 13.0 Rds
Hoja de datos
123En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds
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224En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
Hoja de datos
274En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds
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1,006En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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1En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170A 200V
Hoja de datos
1En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V
Hoja de datos
52En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 360 Amps 100V
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767En pedido
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 230A 200V
Hoja de datos
368Se espera el 15/07/2026
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
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300Se espera el 23/02/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230Amps 100V
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720Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds
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650Existencias en fábrica disponibles
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds
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420Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds
Hoja de datos
300Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
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1,140Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P