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BGSX22G5A10E6327XTSA1

Name: Infineon BGSX22G5A10E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGSX22G5A10E6327
Price: 0.94 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BGSX22G5A10E6327

Fabricante N.º:

BGSX22G5A10E6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES

Hoja de datos:

BGSX22G5A10E6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.949	$0.95
	$0.679	$6.79
	$0.61	$15.25
	$0.534	$53.40
	$0.498	$124.50
	$0.476	$238.00
	$0.46	$460.00
	$0.429	$1,072.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4500)
	$0.419	$1,885.50

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Circuitos integrados de interruptores de RF
RoHS:
Configuración de interruptor:	DPDT
Frecuencia mínima:	100 MHz
Frecuencia máxima:	6 GHz
Pérdida por inserción:	1.1 dB
Aislamiento en modo apagado - típica:	31 dB
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	ATSLP-10
Tecnología:	Si
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Número de interruptores:	Dual
Corriente de suministro operativa:	55 uA
Tipo de producto:	RF Switch ICs
Cantidad de empaque de fábrica:	4500
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.4 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.65 V
Alias de las piezas n.º:	BGSX 22G5A10 E6327 SP001777960
Peso de la unidad:	2.480 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: 5A991.g

Clasificaciones de origen

País de origen:: Alemania
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Alemania

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Antenna Centric Devices

Infineon Technologies Antenna Centric Devices significantly improve data rate for mobile cellular devices while minimizing power consumption. Modern 3G/4G smartphones need to cover a wide frequency range, while the multiband antennas need to be minimized in dimensions. Infineon antenna centric devices optimize antenna performance in the required frequency bands to improve reception of weak signals and radiate efficiency. This indirectly lowers current consumption from power amplifiers. Antenna-centric devices are designed to address various tuning concepts, supporting a large variation of antenna impedance with very low RON values and high voltage handling capabilities. Infineon antenna-centric devices are available with both GPIO (General Purpose Input/ Output) and the standardized MIPI RFFE (Mobile Industry Processor Interface for RF Front-End) interface.

Antenna Cross Switches

Infineon Technologies Antenna Cross Switches are engineered for advanced 5G SRS applications, delivering exceptional performance with high linearity of up to 39dBm input power. The switches enable switching between antennas to select the best-performing antenna for optimizing transmit power for an Up-Link (UL) or improved receive sensitivity for a Down-Link (DL). The antenna cross switches boast low current consumption, making the components efficient for energy-sensitive designs while maintaining low insertion loss for optimal signal integrity. With high port-to-port isolation of up to 7.125GHz, the devices effectively minimize interference between channels. The Infineon Technologies antenna cross switches also feature a maximum rapid switching time of just 2µs, ensuring quick response and reliable operation in dynamic communication environments.

BGSX22G5A10 DPDT Antenna Cross Switch

Infineon Technologies BGSX22G5A10 DPDT Antenna Cross Switch is designed for LTE and WCDMA triple antenna applications. This DPDT offers low insertion loss and low harmonic generation paired with high isolation between RF ports. The switch is controlled via a GPIO interface. The on-chip controller allows power-supply voltages from 1.65V to 3.4V. The switch features direct-connect-to-battery functionality and DC-free RF ports. Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF Ports are only required if DC voltage is applied externally. The BGSX22G5A10 RF Switch is manufactured in Infineon’s patented MOS technology, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS, including the inherent higher ESD robustness. The device has a very small size of only 1.1x1.5mm² and a maximum thickness of 0.55mm.