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SIZ340BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ340BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZ340BDT-T1-GE3
Price: 1.46 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIZ340BDT-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIZ340BDT-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos:

SIZ340BDT-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.46	$1.46
	$0.914	$9.14
	$0.599	$59.90
	$0.464	$232.00
	$0.429	$429.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.364	$1,092.00
	$0.345	$2,070.00
	$0.317	$2,853.00
	$0.307	$7,368.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAIR-3x3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A, 69.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.31 mOhms, 8.56 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	8.4 nC, 15.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	16.7 W, 31 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	5 ns, 7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	30 S, 60 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns, 7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns, 22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns, 12 ns
Peso de la unidad:	143.050 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SiZ340BDT Dual N-Channel 30V MOSFET

Vishay / Siliconix SiZ340BDT Dual N-Channel 30V MOSFET features a dual configuration design with TrenchFET® Gen IV power. The module offers 30V_DS drain-source voltage and 150A pulsed drain current in a temperature range of -55°C to +150°C. Vishay / Siliconix SiZ340BDT Dual N-Channel 30V MOSFET is halogen-free and RoHS-compliant. Typical applications are CPU core power, synchronous buck converters, telecom DC/DC, and computers.