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GC05MPS33J-TR

Name: Navitas Semiconductor GC05MPS33J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GC05MPS33J-TR
Price: 23.5 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

905-GC05MPS33J-TR

Fabricante N.º:

GC05MPS33J-TR

Fabricante:

GeneSiC Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Navitas Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Serie:	SiC Schottky MPS
Empaquetado:	Reel
Marca:	GeneSiC Semiconductor
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers

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Hoja de datos

GC05MPS33J-TR Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

3300V 5A SiC Schottky MPS Diode

GeneSiC Semiconductor 3300V 5A SiC Schottky MPS Diode is a new generation of SiC diode with improved surge and avalanche robustness. This SiC Schottky MPS diode incorporates enhanced forward and switching characteristics with 3300V Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM). The Schottky diode offers a continuous forwarding current (I_F) of 8A and a total capacitative charge (Q_c) of 43nC. This 3300V diode drives with low thermal resistance, temperature-independent fast switching, and low leakage current. The SiC Shottky MPS diode comes with advantages like optimal price-performance, increased price-performance and system power density, and reduced cooling requirements. Typical applications include medical imaging, oil drilling, geothermal instrumentation, high-frequency rectifiers, high voltage multipliers, and high voltage switching.