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QPA1009

Name: Qorvo QPA1009
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA1009
Price: 507.23 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPA1009

Fabricante N.º:

QPA1009

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Amplificador de RF 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

Hoja de datos:

QPA1009 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$507.23	$507.23
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260	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	10.7 GHz to 12.7 GHz
Ganancia:	16 dB
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tecnología:	GaN
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	QPA1009
Empaquetado:	Tray
Marca:	Qorvo
Pérdida de retorno de entrada:	18 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	59.5 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	20
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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PCN

Product Change Notification_2024_12_09 (PDF)

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MXHTS:: 8542330299
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: 3A001.b.2.b.2

QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier

Qorvo QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier operates from 10.7GHz to 12.7GHz, delivering 42dBm of saturated output power and 16dB of large signal gain while achieving 33% power-added efficiency. The QPA1009 RF ports have DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. The device's RF input port is DC coupled to ground for optimum ESD performance. The QPA1009 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.