iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L 140En existencias
Cinta cortada
$10.75
$7.57
$6.12
$5.45
Envase tipo carrete
$5.15
$4.37
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 200 V 148 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 294En existencias
Cinta cortada
$4.75
$3.09
Envase tipo carrete
$2.16
$1.81
$1.68
$1.57
Min.: 1
Mult.: 1
: 100
Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL 14En existencias
100Se espera el 06/11/2026
$9.89
$7.09
$5.82
$4.81
$4.68
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package 1,079En existencias
Cinta cortada
$12.30
$8.40
$6.93
$6.18
Envase tipo carrete
$5.76
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220 1,077En existencias
$9.82
$5.53
$5.06
$4.26
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 172 A 6.3 mOhms 20 V 3.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 AEC-Q101 200En existencias
$6.51
$3.37
$3.06
$2.95
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Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel 200 V SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package 187En existencias
$13.27
$9.39
$7.80
$6.96
$6.50
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package 1,779En existencias
$5.79
$2.89
$2.68
$2.20
$2.15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm 2,910En existencias
Cinta cortada
$8.27
$4.84
$3.98
$3.65
Envase tipo carrete
$2.82
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm 331En existencias
$8.80
$5.77
$4.24
$3.77
$3.33
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220
1,000Se espera el 17/11/2026
$7.67
$5.02
$3.69
$3.29
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 128 A 8.3 mOhms 20 V 4.1 V 73 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 175A TOLT Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Cinta cortada
$12.51
$8.54
$7.05
$6.28
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Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 200 V 175 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 108 nC - 55 C +175 C 423 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Envase tipo carrete
$4.60
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Envase tipo carrete
$1.48
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
$12.99
$8.87
$7.31
$6.51
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 200 V 148 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 132A TOLT Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Cinta cortada
$3.71
$3.60
Min.: 1,300
Mult.: 1
Si SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 200 V 132 A 8 mOhms 20 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement SuperQ Reel