STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics STP26N60M2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics STP26N65DM2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics STW26N65DM2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics STW70N65M2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics STW72N60DM6AG
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics STWA67N60DM6
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 58 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics STWA67N60M6
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics STWA68N65DM6AG
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics STWA72N60DM2AG
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics STL15N60DM6
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 295 mOhm typ 8.5 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics STU5N70M6-S
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 700 V, 1.2 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000

STMicroelectronics STWA35N65DM2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics STI33N60M6
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in an I2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.425Ohm 11A pwr MDMesh II
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300