P-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) P-Channel Medium Power MOSFETS feature a low on-resistance (RDS) range from 0.013Ω to 0.52Ω and a high voltage version up to 800V. These MOSFETs utilize advanced trench MOSFET process technology in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. The P-Channel MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.

Resultados: 3
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 130 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6.7 nC - 55 C + 155 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL MOSFET,SOT-23-3L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 30,000
Mult.: 30,000
Carrete: 30,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement Reel