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WNSC5D16650CJ6Q

Name: WeEn Semiconductors WNSC5D16650CJ6Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 771-WNSC5D16650CJ6Q
Price: 1.19 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-WNSC5D16650CJ6Q

Fabricante N.º:

WNSC5D16650CJ6Q

Fabricante:

WeEn Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC WNSC5D16650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Hoja de datos:

WNSC5D16650CJ6Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	WeEn Semiconductors
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TO3PF-3
Configuración:	Common Cathode
If - Corriente directa:	16 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.45 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	40 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	WeEn Semiconductors
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	480
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de las piezas n.º:	934072973127

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Hoja de datos

WNSC5D16650CJ6Q Hoja de datos (PDF)

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USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

WNSC2D16650CJ & WNSC2D20650CJ SiC Schottky Diodes

WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ and WNSC2D20650CJ Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are 650V devices optimized for high-frequency switched-mode power supplies. SiC devices provide many advantages over silicon, including no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. These features result in higher efficiency, faster-operating frequency, higher power density, lower EMI, and reduced system size and cost. These diodes feature extremely fast reverse recovery time, reduced losses in associated MOSFET, and low cooling requirements.