TPH8R808QM,LQ Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
Hoja de datos
4,470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 79 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 26 nC + 175 C 109 W Enhancement Reel
Toshiba TPH8R808QM LQ
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-8 80V 52A N/A