TK16A60W,S4VX
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757-TK16A60WS4VX
TK16A60W,S4VX
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Hoja de datos:
En existencias: 111
-
Existencias:
-
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Plazo de entrega de fábrica:
-
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $4.60 | $4.60 | |
| $2.13 | $21.30 | |
| $1.99 | $199.00 | |
| $1.70 | $850.00 | |
| $1.55 | $1,550.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- MXHTS:
- 85412999
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
