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STGWA50M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50M65DF2AG
Price: 7.75 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGWA50M65DF2AG

Fabricante N.º:

STGWA50M65DF2AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Serie:	HB2
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	6.100 g

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PCN

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower V_CE(sat) combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.