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STGW40M120DF3

Name: STMicroelectronics STGW40M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW40M120DF3
Price: 8.28 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGW40M120DF3

Fabricante N.º:

STGW40M120DF3

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

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Hoja de datos:

STGW40M120DF3 Hoja de datos (PDF)

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	$4.73	$47.30
	$3.37	$337.00
	$3.29	$1,974.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.85 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	80 A
Dp - Disipación de potencia :	468 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	M
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	40 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	38 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
ST NCNR & NON Warrantied

Stock on hand has no manufacture warranty.

If the end customer requires additional support please
process the request through your local Mouser
sales representative.

5-1013-36

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Hoja de datos

STGW40M120DF3 Hoja de datos (PDF)

PCN

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.