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STGD6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGD6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD6M65DF2
Price: 2.11 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGD6M65DF2

Fabricante N.º:

STGD6M65DF2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

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Hoja de datos:

STGD6M65DF2 Hoja de datos (PDF)

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.11	$2.11
	$1.34	$13.40
	$0.891	$89.10
	$0.702	$351.00
	$0.64	$640.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.571	$1,427.50
	$0.508	$2,540.00
	$0.507	$5,070.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	12 A
Dp - Disipación de potencia :	88 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGD6M65DF2
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	12 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	+/- 250 uA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	330 mg

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Hoja de datos

STGD6M65DF2 Hoja de datos (PDF)

PCN

MXHTS:: 85412999
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.