STGB30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGB30M65DF2
STGB30M65DF2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,470

Existencias:
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Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$4.19 $4.19
$2.73 $27.30
$1.90 $190.00
$1.61 $805.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$1.42 $1,420.00
$1.30 $2,600.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGB30M65DF2
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 1.380 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

MXHTS:
8541299900
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.