STF80N240K6

STMicroelectronics
511-STF80N240K6
STF80N240K6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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1,000
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Plazo de entrega de fábrica:
13
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$7.71 $7.71
$5.82 $58.20
$4.71 $471.00
$4.19 $2,095.00
$3.59 $3,590.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
16 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
25.9 nC
- 55 C
+ 150 C
27 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 12 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 47.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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MXHTS:
8541299900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.