Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

SSM3K35AMFV,L3F

Name: Toshiba SSM3K35AMFV,L3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3K35AMFVL3F
Price: 0.24 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

757-SSM3K35AMFVL3F

Fabricante N.º:

SSM3K35AMFV,L3F

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

Hoja de datos:

SSM3K35AMFV,L3F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Toshiba SSM3K35AMFV,L3F

En existencias: 304,777

Existencias:: 304,777 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.247	$0.25
	$0.14	$1.40
	$0.059	$5.90
	$0.046	$46.00
	$0.042	$210.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)
	$0.033	$264.00
	$0.031	$744.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VESM-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	250 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.1 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	340 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSIII
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2 ns
Serie:	SSM3K35AM
Cantidad de empaque de fábrica:	8000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	6.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2 ns
Peso de la unidad:	24 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SSM3K35AMFV,L3F Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

MXHTS:: 85412999
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions

Toshiba Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions feature a broad product lineup that meets current requirements with TVS, Shottkey Barrier Diodes (SBD), LDOs, Load Switch ICs, and the powerful eFuse IC. These SSDs can parse through data quicker than a traditional Hard Disk Drive (HDD). As SSD technology improves, it will require power circuitry that meets increasingly rigorous power demands and protection that keeps essential data safe from failures. Toshiba offers a comprehensive lineup of load switches and MOSFETs for controlling power inputs, protection ICs, and diodes designed to handle abnormal input power conditions and overvoltage surges during hotplug.

SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.