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SIDR608EP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR608EP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIDR608EP-T1-RE3
Price: 4.16 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIDR608EP-T1-RE3

Fabricante N.º:

SIDR608EP-T1-RE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SIDR608EP-T1-RE3 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$4.16	$4.16
	$2.85	$28.50
	$1.98	$198.00
	$1.70	$850.00
	$1.63	$1,630.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.38	$4,140.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	228 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.36 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Qg - Carga de puerta:	167 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	120 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	86 ns
Serie:	SIDR
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	52 ns

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N de 30 a 45 V (D-S)

Los MOSFET de canal N de 30 a 45 V (D-S) de Vishay son MOSFET de potencia Gen IV TrenchFET® con un nivel muy bajo de factor de mérito (FOM) RDS Qg. Los dispositivos están sintonizados para el FOM RDS - Qoss más bajo con una función de enfriamiento de la parte superior que proporciona un lugar adicional para transferencias térmicas. Los MOSFET son 100 % Rg y se someten a pruebas UIS.