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SGT105R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT105R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT105R70ILB
Price: 2.98 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SGT105R70ILB

Fabricante N.º:

SGT105R70ILB

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

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9,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	GaN FETs
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-8
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Id - Corriente de drenaje continua:	21.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	105 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	4.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	158 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Empaquetado:	Reel
Producto:	FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	SGT
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor

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Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

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MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.