Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

SCT4026DW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4026DW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4026DW7TL
Price: 22.05 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-SCT4026DW7TL

Fabricante N.º:

SCT4026DW7TL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT4026DW7TL Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor SCT4026DW7TL

En existencias: 2,008

Existencias:: 2,008 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 2008 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$22.05	$22.05
	$17.65	$176.50
	$14.46	$1,446.00
	$14.44	$7,220.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$12.69	$12,690.00
2,000	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	51 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	26 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	94 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	22 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.5 ns
Alias de las piezas n.º:	SCT4026DW7

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SCT4026DW7TL Hoja de datos

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SCT4026DW7 N-Ch SiC power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4026DW7 N-Ch SiC power MOSFET is a 750V, 26mΩ MOSFET in a TO-263-7L package. The SCT4026DW7 is simple to drive and easy to parallel with fast reverse recovery. The SCT4026DW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.