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SCT4026DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4026DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4026DEC11
Price: 25.75 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCT4026DEC11

Fabricante N.º:

SCT4026DEC11

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT4026DEC11 Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$25.75	$25.75
	$16.12	$161.20
	$16.07	$1,607.00
	$16.04	$7,218.00
	$16.03	$14,427.00
5,400	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247N-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	56 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	26 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	94 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	176 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 nC
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	39 nC
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	44 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Alias de las piezas n.º:	SCT4026DE

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MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.