SCS220AE2HRC11

ROHM Semiconductor
755-SCS220AE2HRC11
SCS220AE2HRC11

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC AECQ

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247N-3
Dual
20 A
650 V
1.55 V
76 A
200 uA
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
Marca: ROHM Semiconductor
Dp - Disipación de potencia : 160 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa: 650 V
Alias de las piezas n.º: SCS220AE2HR
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
MXHTS:
8541100199
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

En existencias: 1,792

Existencias:
1,792 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
33 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$8.67 $86.70
$7.37 $737.00
$7.29 $3,280.50

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