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RQ7P035ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ7P035ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ7P035ATTCR
Price: 1.16 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RQ7P035ATTCR

Fabricante N.º:

RQ7P035ATTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -100V -3.5A Power MOSFET

Hoja de datos:

RQ7P035ATTCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$0.555	$555.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.485	$1,455.00
	$0.45	$2,700.00
	$0.429	$3,861.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	111 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	40 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	90 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	190 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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