RQ7G080ATTCR
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755-RQ7G080ATTCR
RQ7G080ATTCR
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -8.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -8.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Hoja de datos:
Hoja de datos
Application Notes
Specification Sheets
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Japón
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
En existencias: 985
-
Existencias:
-
985Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
En pedido:
-
3,000Se espera el 08/12/2026
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
18Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.43 | $2.43 | |
| $1.16 | $11.60 | |
| $1.04 | $104.00 | |
| $0.819 | $409.50 | |
| $0.766 | $766.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000) | ||
| $0.658 | $1,974.00 | |
| $0.657 | $5,913.00 | |
México
