PSMN5R5-100YSFX

Nexperia
771-PSMN5R5-100YSFX
PSMN5R5-100YSFX

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,445

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Precio unitario:
$-.--
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$4.54 $4.54
$2.93 $29.30
$2.65 $132.50
$2.02 $202.00
$1.81 $905.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$1.05 $1,575.00
$0.982 $2,946.00
$0.975 $4,387.50
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-669-5
N-Channel
1 Channel
100 V
115 A
5.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
238 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Nexperia
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: 934661576115
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Atributos seleccionados: 0

MXHTS:
8541299900
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NextPower 80/100V MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs are recommended for high-efficiency switching and high-reliability applications. The NextPower MOSFETs feature 50% lower RDS(on) and a strong avalanche energy rating. The devices are ideally suited for power supply, telecom, industrial designs, USB-PD Type-C chargers and adapters, and 48V DC-DC adapters. The devices have low body diode losses with Qrr down to 50 nano-coulombs (nC). This results in lower reverse recovery current (IRR), lower voltage spikes (Vpeak), and reduced ringing for further optimized dead time.