PJP125N06SA-AU_T0_006A1

Panjit
241-PJP125N06SAAU6A1
PJP125N06SA-AU_T0_006A1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 1,980

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$1.73 $17.30
$1.55 $155.00
$1.25 $625.00
$1.17 $1,170.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Panjit
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220AB-3
N-Channel
1 Channel
60 V
215 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
AEC-Q101
Tube
Marca: Panjit
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 37 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 26 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 66 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 13 ns
Peso de la unidad: 2.095 g
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Atributos seleccionados: 0

MXHTS:
8541299900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.