Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NXH011F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH011F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H011F120M3F2PTHG
Price: 165.58 USD
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-H011F120M3F2PTHG

Fabricante N.º:

NXH011F120M3F2PTHG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

NXH011F120M3F2PTHG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NXH011F120M3F2PTHG

En existencias: 12

Existencias:: 12 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

El envío de este producto es GRATUITO

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$165.58	$165.58
100	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	PIM-34
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	105 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.72 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	244 W
Serie:	NXH011F120M3F2PTHG
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Full Bridge
Tiempo de caída:	12.6 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	12.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	20
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tipo:	Full Bridge
Tiempo de retardo de apagado típico:	110.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30.9 ns
Vf - Tensión directa:	5.21 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NXH011F120M3F2PTHG Hoja de datos

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Los MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1 de Onsemi son módulos de potencia que incluyen un puente completo y un termistor en un paquete F1. Estos MOSFET cuentan con termistores y pines a presión. Los módulos NXH0x0F120MNF1 ofrecen material de interfaz térmica (TIM) preaplicado y sin opciones TIM preaplicadas. Estos módulos se utilizan preferentemente en inversores solares, fuentes de alimentación ininterrumpida, estaciones de carga de vehículos eléctricos y energía industrial. Los módulos NXH0x0F120MNF1 son libres de plomo y haluro, y cumplen con las normas RoHS. Estos módulos incluyen entre -40°C y 150°C en el rango de temperatura de almacenamiento y un rango de temperatura en funcionamiento de unión de -40°C a 175°C.