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NTMFS0D4N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D4N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D4N04XMT1G
Price: 4.95 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS0D4N04XMT1G

Fabricante N.º:

NTMFS0D4N04XMT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Hoja de datos:

NTMFS0D4N04XMT1G Hoja de datos

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	$1.72	$2,580.00
	$1.70	$15,300.00
24,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	509 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	420 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	133 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	197 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	286 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11.1 mm
Serie:	NTMFS0D4N04XM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	49.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	34.5 ns

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NTMFS0D4N04XMT1G Hoja de datos

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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