Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

MSC025SMB120B4N

Name: Microchip MSC025SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC025SMB120B4N
Price: 17.67 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

579-MSC025SMB120B4N

Fabricante N.º:

MSC025SMB120B4N

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

MSC025SMB120B4N Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Microchip Technology MSC025SMB120B4N

En existencias: 65

Existencias:: 65 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 1 semana Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$17.67	$17.67
	$16.30	$489.00
	$14.18	$1,701.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	81 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	33 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	109 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	357 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.2 ns
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MSC025SMB120B4N Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-1-8 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

ECCN:: EAR99

1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.